HSM1105
HSM1105
产品信息
HSM1105系列
HSM1105是一款低功耗纳电池，锂电池组保护芯片，可以实现一系列电压、电流和温度的保护功能，并且不需要MCU的控制。芯片提供可级联堆叠的连接方式，使得芯片可以很灵活地适用于3节~20节的电池应用。保护阈值、延迟时间、故障恢复模式等芯片配置均在出厂前进行了编程设定，有多种的芯片配置可供选择。芯片分别提供了每节电池过压、欠压以开路故障的检测，同时还检测电池组的电流，提供放电过流及短路故障检测，并且还提供了独立的放电和充电过温（OTD和UTD）和放电和充电欠温（OTC和UTC）阈值，进一步提高了应用的灵活性。
芯片内部集成独立的FET驱动电路，以便分别控制充电和放电低侧NMOS FET，并且具有FET体二极管保护特性。通过芯片的级联工作模式，还提供了多于5节电池的多节电池保护方案。
对标替换TI的BQ77905，可覆盖TI此款产品性能并且还可提供更多的参数配置（具体见以下特点中的配置范围）。
特点
●可以通过离线烧写对芯片完成参数配置，方便灵活选型避免呆滞库存；
●全套电压、电流和温度保护；
●通过级联可支持灵活的电池节数配置：从3节到20节以至更多；
●电压保护（精度±25mV，精修调后精度可达±10mV）
过压：3V到4.575V
欠压：1.2V到3V
●电池开路检测；
●电流保护：
放电过流1级：电流检测电阻端电压– 10mV到– 85mV（不同配置）
放电过流2级：电流检测电阻端电压–20mV到–175mV（不同配置）
放电短路：电流检测电阻端电压–40mV到–340mV（不同配置）
全温范围：对于≤–20mV精度±3%；对于>–20mV精度±4%；
●温度保护：充电过温、放电过温、充电欠温、放电欠温；
●独立的充电、放电FET驱动电路，FET体二极管保护特性；
●每节电池输入绝对最大额定电压32V；
●高可靠的BIST（内建自测试）电路；
●超低功耗：
正常工作模式：8μA；
休眠模式：0.5μA
应用
●电动工具、园艺工具
●电动自行车等轻型电动车辆
●备用电池
●不间断电源（UPS）等储能系统
●各类电池组
封装
TSSOP-20